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硅局部场氧化(LOCOS)相关论文
基于二维数值仿真技术的局部场氧化形状建模
通过工艺仿真软件S-Tsuprem4对CMOS中常用的硅局部场氧化(local oxidation silicon,LOCOS)技术所生成的"鸟嘴"图形进行了仿真,提出......
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工艺仿真
硅局部场氧化(LOCOS)
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