硅纳米孔柱阵列(si-NPA)相关论文
以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底、用化学气相沉积法制备了具有规则阵列结构特征的ZnO/Si-NPA纳米复合体系,并对其结构和光致发光......
采用水热腐蚀技术制备了硅纳米孔柱阵列(siliconnanoporouspillararray,Si-NPA),并以此为衬底通过浸渍沉积制备出一种具有规则表面......
以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底,采用浸渍法制备出一种具有规则表面形貌特征的银/硅纳米孔柱阵列(Ag/Si-NPA),并以R6G为探测目标......
采用溶胶-凝胶和旋涂技术制备了基于Si-NPA的BaTiO3薄膜(BaTiO3/Si-NPA).场发射扫描电镜和X射线衍射实验表明,钙钛矿结构BaTiO3薄......
基于硅纳米孔柱阵列（Si-NPA）制备电容型湿度传感元件,并在250℃、450℃和550℃三个温度下对元件进行退火处理。测试数据显示,在测试......
以具有规则表面形貌的硅纳米孔柱阵列（Silicon Nanoporous Pillar Array，Si-NPA）作为还原性衬底和组装模板，采用浸渍技术制备了铜／Si-NP......
以水热制备的具有规则表面形貌和结构的硅纳米孔柱阵列（Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA）为衬底,采用浸渍沉积技术并通过调......
采用浸渍法在硅纳米孔柱阵列（Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA）衬底上制得了一系列金/硅纳米孔柱阵列（Au/Si-NPA）,不同Au/Si-N......
纳米复合材料体系中是现代众多科学课题中热门的研究课题之一。随着数字技术的发展，对纳束复合材料的研究的方法也从与研究体材料同......
硫化镉(Cd S)是一种重要的II-VI族化合物半导体材料,它具有宽的直接带隙(~2.42 e V)、高的载流子迁移率(3×105 cm2/V·s)和良好的......
GaN作为一种宽带隙(3.4 eV)的直接带隙化合物半导体材料,具有高热导率、高电子迁移率、良好的化学和热稳定性,在制备发光二极管(li......
以硅纳米孔柱阵列（Si—NPA）为衬底，通过采用真空蒸镀技术沉积金属锌，再在纯氧气氛中进行氧化退火的方法，制备出具有阵列特征的ZnO／Si—NP......
硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)独特的多孔阵列结构,以及其优异的光吸收性能,使得宽带隙半导体/Si-NPA复合体系在太阳能电池领域具有重要......
本文以水热腐蚀技术制备的具有规则表面形貌和结构的硅纳米孔柱阵列（Silicon Nanoporous Pillar Array，Si-NPA）为衬底，利用其表明活性......
III-V族半导体化合物氮化镓(Ga N)是第三代直接带隙半导体材料,带隙宽度3.4 e V,有耐高温、耐腐蚀、电子迁移率高、良好的化学和热......
宽带隙化合物半导体GaN因独特的光电性能而被广泛地应用于制备发光二极管、激光器、太阳能电池等光电器件。本课题采用化学气相沉......
近年来,GaN材料因其优异的光电特性而被广泛应用于光电子器件制备。Si基GaN光电子器件虽然在实现器件集成方面具有优势,但两种材料......
