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离子剥离相关论文
离子注入剥离法制备绝缘体上应变硅及其表征
基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变......
期刊
绝缘体
离子剥离
喇曼光谱分析
绝缘体上应变硅
表征
n-MOSFET
电学性能
缺陷密度
硅薄膜
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