离子束蚀刻相关论文
Ni80Cr20合金薄膜在可见光波段展现出很好的光学中性度。真空镀膜系统中石英晶振膜厚传感器的测量误差是导致薄膜的实际光密度值偏......
讨论了采用常规的光刻热熔法及灰度掩模技术制作面阵非梯度折射率型平面折射和平面衍射微透镜的情况,定性分析了不同的工艺条件下......
基于衍射光学原理, 获得了微透镜的衍射效率与蚀刻深度误差之间的关系式。 研究表明, 离子束蚀刻中目前采用的时间控制法可满足L=1......
日本电信电话(NEC)公司试制面发光型半导体激光器。该激光器在室温条件下,以190μA的最小阔值电流成功地进行脉冲振荡,阈值电流一......
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美国科学家最近发展出一种方法,能在金属薄膜表面制作非常平坦的图案,能延长表面等离子在薄膜上的传播距离,这有助于制造新型太阳......
石英微透镜列阵的制造和测量１．引言几个研究人员已报导了用光致抗蚀剂熔融控制法的微透镜制造。１９８４年，Ｗａｄａ［１］讨论了在ＩｎＰ发光二极管上用光致抗蚀剂......
本文简述了冷阴极鞍形场离子源的工作原理和性能特点,介绍了原理性的实验和初步实验结果。
In this paper, the working principl......
离子铣工艺是随着固体器件向精细几何图形发展的同时而发展起来的。本文讨论了离子铣的优点以及对离子束系统的要求。考虑了从实验......
只要是用细小尺寸的整形离子束去轰击靶物,离子束就可成为一种实现高分辨率微细加工的有效手段。本文首先给出以直径小于1000的聚......
由于半导体器件工艺的干法化,各种离子束工艺越来越显得重要了。本文就其中的离子束曝光、离子束蚀刻以及聚焦离子束技术的最近进......
1985年6月下旬美国费城德克斯克大学副校长J·K·李·史密斯先生在湖南省科委张启人副主任陪同下参观了电子工业部第四十八研究所......
本文首先叙述冷却基片的各种方法。然后介绍LK—2型离子束蚀刻机所采用的半导体致冷器冷却基片的方法。在典型的工作条件下,对半导......
采用He—Ne激光器的全息光刻技术在玻璃板上得到了平面光栅。然后,它与另一个其上涂有光致抗蚀剂的铝膜基体的玻璃板紧密接触,两平......
硫化锌钝化膜工艺研究郭今昌苏善良(航空航天部8358所)ZnS 的红外性质及与 MCT 相近的介电常数和温度系数等,使之利于制成与 MCT ......
日本富士通公司已生产出一种光开关用的材料,这种材料100％的恢复时间(或看切换速度)为9ps。该公司认为:采用这种材料可以制造出能......
引言反射栅结构是一种新型的声表面波器件结构。早在1967年就有人提出反射栅的应用实例,并指出:这种周期倾斜入射栅用于抽头延迟......
<正> 离子束蚀刻是一种有超精细加工能力的微细加工技术,广泛应用于微电子、光子技术、表面科学等领域。硅及其化合物常用来制作大......
理论研究表明，氩离子束蚀刻加工柱体非球面微透镜阵列，柱体球面微透镜阵列和微棱镜阵列具有巨大潜力。实验结果证明，硅（Si）基片上表面轮......
采用常规的光刻热熔法及灰度掩模技术,结合离子束蚀刻与溅射制作面阵非梯度折射率型平面折射和平面衍射微透镜,定性分析了不同的工......
讨论了光刻热熔成形工艺灰度掩模技术结合离子束蚀刻制作面阵尖形微结构器件的问题,分析了几种凸尖及凹尖结构抗入射激光烧蚀的能......
综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、......
采用光刻及离子束蚀刻技术制作面阵石英DNA芯片模版，利用扫描电子显微镜（SEM）和表面轮廓仪测试了所制石英DNA芯片模版的表面微结构形......
采用一个有效的数学模型,分析了在蚀刻工艺中基底自身面形轮廓的曲线形状对基底局部区域的蚀刻速率产生的影响,并通过对数学模型的......
本文介绍一种新的干法腐蚀工艺——化学辅助离子束蚀刻(CAIBE),或者称作离子束辅助蚀刻(IBAE),它具有各向异性腐蚀,高的腐蚀选择比......
本文导出了离子束蚀刻固体表面形貌发展的一般方程,利用非线性方程的特征曲线解法,建立了离子束蚀刻固体表面形貌发展的三维理论,......
本文用原子力显微镜（ＡＦＭ）对有不同伏安特性的台阶边缘结之台阶形貌进行了仔细测量．结果表明：台阶边缘晶界结特性受非平面衬底离子束刻蚀剖......
采用光刻及离子束蚀刻技术制作面阵石英 DNA芯片模版 ,利用扫描电子显微镜 ( SEM)和表面轮廓仪测试了所制石英 DNA芯片模版的表面......
