离子束轰击相关论文
环烯烃共聚物（Cyclic Olefin Copolymer）是一种近年来逐渐引起人们高度重视的无定形高分子材料,其具有覆盖全光谱的高透射率、低双折......
金刚石的表面改性及微纳米结构的设计加工,是金刚石功能化应用的重要延伸和探索方向.对金刚石进行离子束轰击处理是进一步扩展其应......
高分子材料以其优异的性能,近年来得到了广泛的应用。以一种新型高分子材料环烯烃共聚物为基底,设计并研制了400~700 nm波段的减反......
使用离子束对玻璃表面(原始及化学钢化玻璃)进行轰击,其束能,束流,束径和能量强度分别为2.5MeV,40μA,1mm及5×1014-5×1016J/cm1.......
当今的化学元素周期表上共有109个元素。100号元素为镄(Fm),101～109号元素统称为超镄元素,这些元素都是利用加速器加速的重离子束轰......
近期发展起来的离子束材料改性技术,利用离子束轰击固体不但可以改变材料表面成
Recently developed ion beam material modific......
中子发生器主要由离子源，加速系统和靶等组成。当离子束轰击靶产生中子的同时，在靶面也产生二次电子，形成二次电子流，导致电源负荷加重......
中子发生器主要由离子源、加速系统和靶等组成.当D+离子束轰击靶时,产生中子的同时,在靶面也产生二次电子,形成二次电子流,导致电......
该文报导了离子束轰击石墨表面，在表面形貌凸出部分生成了纳米结构物，并讨论了生成机制。......
用低能量（５５０ｅＶ）氩离子束轰击ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ芯片的背面，能改善其阈值电压Ｖｒ、跨导ｇ〈，ｍ〉、沟道电导ｇ〈，ｄ〉、有效迁移率μ〈，ｅｆｆ〉等参数。结果表明，随着轰击时间的......
用低能氧离子辅助蒸镀技术，制备了一系列Ta[*v2*]O[*v5*]薄膜样品。测量了薄膜的光吸收和光散射。实验指出，离子束轰击和基片加温同......
该文介绍了适用于离子辅助淀积薄膜的宽束离子源，描述了离子束轰击对TiO[*V2*]／SiO[*v2*]，ZnS／MgF[*V2*]两种介质滤光膜以及Al－SiO[*V2*......
我们在有和无离子束辅助两种情形下，在双轴织构Ｎｉ基底上制备了ＣｅＯ２薄膜，结果表明，无离子束辅助沉积时，薄膜表现出（１１１）取向，在离子能量为２４０ｅＶ，束流为２００μＡ／ｃｍ２，基......
利用低能（55OeV）氩离子束轰击多晶硅栅金属-氧化物-半导体（MOS）电容器背面，能改善SiO-Si的界面特性。结果表明，选取适当的工艺条件，能有效......
该文对3.2×3.2×0.8mmGR-200样品经不同种类(H或C或O)、不同能量(3.1MeV-11.2MeV)、不同辐照剂量(5×10-2×10ion/cm)的离子束轰......
自2004年发现石墨烯以来，石墨烯及其复合纳米材料在材料科学、纳米电子学等领域引起了人们的极大关注。石墨烯是世界上最薄的二维材......
离子铣（离子束刻蚀）是利用离子束轰击固体表面的溅射作用，剥离加工各种几何图形的一种新工艺。rn 电火箭发动机本体是一种大面积离子......
电介质和金属表面被激发出来的二次电子(Secondary electron emission,SEE)可以显著地改变该表面附近的电势分布和通量。在一些情......
用辅以动态氮离子轰击的氩离子束溅射沉积方法，在３０４不锈钢基材上沉积聚四氟乙烯薄膜。经ＸＰＳ和ＩＲＳ分析，确定了聚四氟乙烯膜的存在并进行了结构......
本文采用脉冲偏压空心阴极多弧离子镀–高能Ar离子轰击效应工艺在316L不锈钢上制备了Cr-CrN-CrCN黑色硬质薄膜,并分析了该黑色硬质......
对不同剂量离子束轰击的ZrO2—8wt%Y2O3薄膜进行了XPS全扫描和窄扫描能谱的测量。结果表明,薄膜表面的碳沾污浓度与轰击离子的剂量......
采用射频磁控溅射法在抛光硅片上沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品X射线衍射谱的分析、原子力显微图的观察、吸收光谱和荧......
从2002年开始,在俄罗斯杜布纳联合核研究所工作的俄罗斯科学家会同前来的美国国立劳伦斯？利弗莫尔研究所（LLNL）的科学家一起做一项实......
使用离子束对玻璃表面（原始及化学钢化玻璃）进行轰击,其束能,束流,束径和能量强度分别为2.5MeV,40μA,1mm及5×1014-5×1016J/cm2。......
会议
用低能离子束轰击工艺制备了３－５μｍ及８－１０μｍ碲镉汞ｐｎ结，研究了它们的电流－电压及电容－电压特性，发现该ｐｎ结为缓变结，与通常认为的关于低能离子束轰击......
用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和扫描隧道同镜（ＳＴＭ）对遭受斜入射Ｏ２离子束轰击的ＩｎＰ表面形貌变化进行了研究。结果表明：波纹状的表面形貌从０．４μｍ的溅射深度开始......
本文利用卢瑟福背散射及沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术，二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术等研究了ＭｅＶＳｉ离子束轰击对ＢＦ２注入Ｓｉ样品特性的影响．结果表明，退火后在ＢＦ２注入形成的ＰＮ结结区内仍......
<正> 我们熟悉的固体物质大多数是以晶态形式存在的,特别是金属。因此,传统的固体物理的研究是以三维的长程有序和平移对称的晶体......
采用低能量离子束对碳纳米管进行轰击。扫描电子显微镜测试表明,离子束轰击可以方便地去除碳纳米管中的杂质,拉曼光谱结果显示离子......
在硅基底上用电子束蒸发方法制备了二氧化钛薄膜。通过XRD、AFM和薄膜应力测试仪研究了离子束轰击对薄膜应力的影响规律。结果表明......
