结合应力弛豫模型中的硬化机制,设计了组分梯度渐变的AlyGa1-x-yInxAs 缓冲层结构,并采用低压金属有机物化学气相沉积技术在7o偏角......

在低温HVPE-GaN/c-Al2O3模板上射频溅射ZnO作为缓冲层,采用氢化物气相外延(HVPE,hydridevapoarphaseepitaxy)法外延生长了高质量的......

GaN的带隙宽,化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀,GaN基器件具有抗辐射、高频和大功率的特点,在光显示、光存储、光照明、光探测等光电......