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线边缘粗糙度效应相关论文
本征参数涨落效应对纳米尺寸下双栅MOSFET和SRAM可靠性影响的研究
随着MOSFET技术进入纳米尺寸范围内,预计1-2年内25nm尺寸晶体管将上市。由于双栅(DG)MOSFET具有高速度、低功耗等优点,使得它成为......
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本征参数
纳米尺寸
线边缘粗糙度效应
涨落效应
数值模拟
晶体管
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