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结构设计和仿真相关论文
具有多凹陷源/漏漂移区的4H-SiC MESFETs设计与仿真
近年来,碳化硅半导体材料(SiC)不仅表现出自身优良的材料特性,而且具有显著的电学特性,因此受到越来越多的关注。与传统硅(Si)材料......
学位
4H-SiC MESFETs
DR
ISE-TCAD
多凹陷源/漏漂移区
结构设计和仿真
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