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窄禁带,含Hg的Ⅱ-Ⅳ族化合物半导体 体的电性能受缺陷影响很大,蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数,本文从腐蚀机理出发,了HgMnTe的......
提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤.其原理是:经过研磨和化学机械抛光后,起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一......