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缺陷铁磁相关论文
铜掺杂氧化锌稀磁半导体的缺陷结构、磁学操纵与光电响应性能研究
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体,室温禁带宽度为3.37 eV,是少有的理论上被预测能够产生室温铁磁的半导体材料。与Ⅲ-Ⅴ族半导体化合......
学位
铜掺杂氧化锌
缺陷铁磁
磁操纵
光电响应
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