肖特基接触势垒高度相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

肖特基接触势垒高度相关论文

GaN基电子器件中极化库仑场散射机制研究

GaN材料由于其禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场强、化学性质稳定等优越性能,使得GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)非......

学位

AlGaN/AlN/GaN异质结构 InAlN/AlN/GaN异质结构二维电子气密度电子迁移率极化电荷密度极化库仑场散射肖特基接触势垒高度亚阈值摆幅

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