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肖特基漏极功耗法相关论文
InAlN/AlN/GaN HFETs界面缺陷态及肖特基特性研究
近年来,作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN基氮族半导体器件在高温.高频.大功率器件领域具有广阔的应用前景,在国内外得到......
学位
InAlN/AlN/GaN
HFETs
界面缺陷态
平行电导法
串联电阻
肖特基漏极功耗法
二维电子气
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