背栅电压相关论文
当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系。器件阈值......
本文研究了薄层SOI场pLDMOS在不同背栅电压应力条件下的阈值和导通电阻退化机理.在高压开关电路应用中,pLDMOS的背栅处于最低电位,......
为提高生物分子检测的灵敏度,通过氮化硅基底的制备、二硫化钼(MoS2)薄膜的铺陈以及金属电极的制备等步骤研制了MoS2流体场效应管.......
通过建立沟道区域和埋氧区域的二维泊松方程,并考虑衬底区域的掺杂和背栅偏压对器件阈值电压的影响,得到了一种正背栅全耗尽SOI-MO......
通过建立沟道区域和埋氧区域的二维泊松方程，并考虑衬底区域的掺杂和背栅偏压对器件阈值电压的影响，得到了一种正背栅全耗尽SOI—MOS......
为提高生物分子检测的灵敏度,通过氮化硅基底的制备、二硫化钼（MoS2）薄膜的铺陈以及金属电极的制备等步骤研制了MoS2流体场效应管.将......
