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一种使用在基于单元库布局布线流程的芯片上变异(OCV)监控器方法学
工艺参数的变异导致半导体制造过程的偏差。这种变异无法避免而且在深亚微米领域,受限于光刻分辨率;氧化层腐蚀造成厚度的改变,因......
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