范德华力相互作用相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

范德华力相互作用相关论文

电场调控范德华异质薄膜能隙的第一性原理研究:单层SiC沉积在表面氢化的BN薄膜上

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的典型代表,是目前应用最理想的宽禁带半导体材料之一,在半导体照明、电子设备等领域具有广阔的......

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碳化硅异质薄膜第一性原理范德华力相互作用电场电学性质

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