负位线相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

负位线相关论文

一种提高SRAM写能力的自适应负位线电路设计

随着器件尺寸缩小到纳米级,在SRAM生产过程中,工艺偏差变大会导致SRAM单元写能力变差.针对这一问题,提出了一种新型负位线电路,可......

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负位线静态随机存储器(SRAM) 写辅助电路 negative bit line static random access memory （SRAM） wr

40/28纳米存储器IP技术综述

本文介绍了28nm/40nm存储器I P的设计挑战及智原科技提供的相应解决方案。硅验证的结果也证明了有效性。这些技术包括:ROM设计裕度......

期刊

静态随机存取存储器负位线半选择干扰字线下驱动升压字线

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