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近年来,随着大数据、深度学习等互联网技术的高速发展,人们对处理器的性能要求越来越高,从而推动了集成电路的蓬勃发展。随着集成......
本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性（NBTI，negative bias temperature instabi1ity）退化的方法——直接隧道栅电流表征法（DTGCM......
随着半导体技术的发展,器件日益小型化,pMOS器件的负温度不稳定效应NBTI(Negative Bias Temperature Instability)加剧,成为影响器......
随着集成电路持续不断地向着小型化、高集成度发展,pMOS器件的NBTI (Negative Bias Temperature Instability)和nMOS器件的HCI (Ho......
负偏压温度不稳定性（NBTI）退化是制约纳米级集成电路性能及寿命的主导因素之一,基于40 nm CMOS工艺对NBTI模型、模型提参及可靠性仿......
