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随着CMOS器件尺寸的缩小,栅介质厚度已经减薄到接近其物理极限。然而,电源电压减小的相对滞后导致的强电场引发了各种可靠性问题。......
研究了P型MOSFET的NBTI效应退化机理，以及栅氧化层电场和沟道载流子浓度对NBTI效应的影响．首先，通过电荷泵实验对NBTI应力带来的pMOSF......
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