跳跃电导机制相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

跳跃电导机制相关论文

基于电容结构的α-SiGe:H膜电学退化特性

针对航天一次可编程(OTP)存储器高可靠应用需求,基于电容结构和肖特基接触模型,分析得出α-SiGe∶H膜退化前电流传输机制较好地符......

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一次可编程(OTP)存储器 α-SiGe∶H膜肖特基接触热电子发射-扩散模型跳跃电导机制

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