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14/16 nm ETSOI器件仿真与研制
全耗尽超薄绝缘体上硅技术可作为MOSFET 22nm及其以下技术节点主要可选技术中的一种。但该层极薄薄膜对传统的注入工艺来说,具有极......
学位
ETSOI器件
注入掺杂
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