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繻→(hv,e-h)散射模式可以很好地解释了高激发密度下自由到束缚的发射与近带边缘发射的强度比随着激发密度的增加而增加的实验结果。......
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我们在Ⅰ类-Ⅱ类混俣GaAs/AlAs非对称量子阱结构的样品上,在较低的激发光强下在宽阱中获得了较高密度的光生电子积累。利用光致发光方法详细地......
随着金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)特征尺寸不断减小,应变技术、......
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