边缘场相关论文
提出了垂直排列液晶显示模式中通过适当的版图设计，在帧首(中)给阵列基板侧的公共电极和像素电极不同的信号脉冲，产生一边缘电场，为一......
由于阴极射线管的高功耗,体积大和本身的物理特性造成了辐射等问题,液晶显示器在显示器领域的地位越来越重,几乎已经替代了阴极射......
Short channel carbon nanotube thin film transistors with high on/off ratio fabricated by two-step fr
薄电影晶体管(CNT-TFTs ) 制造被表明的为碳 nanotube 的一个二拍子的圆舞 fringing 地 dielectrophoretic 集会方法。浓密地排列......
本项目旨在从深层次探讨将共面边缘场电容成像技术作为一种新型无损检测手段涉及到的理论和方法.通过明确被测对象、检测环境、探......
在本文中,首先我们将用延拓的方法重新给出分数阶Laplace算子的定义,接下来会叙述并给出分数阶方程上下解方法的证明,最后将讨论带......
高灵敏度电子倍增CCD(EMCCD)与普通CCD的区别在于水平转移寄存器与读出结点之间增加一个信号载流子倍增寄存器(CCM)，这使得EMCCD能......
提出一种全新的像素结构，通过适当的版图设计，实现相邻子像素的液晶电容的极性是相反的，以此获得畴分布对称的液晶分子预倾，从而实现广......
给出了一种单盒式透反射型液晶显示器,它采用顶板公共电极和底板的反射器形成互补。这些狭长的公共电极和反射器在透射区域(T区)产......
给出了一种单盒式透反射型液晶显示器,它采用顶板公共电极和底板的反射器形成互补.这些狭长的公共电极和反射器在透射区域(T区)产......
本文提出了一种快速分析局部不规则微带贴片的方法.局部不规则贴片可看成是在规则贴片上进行一些修正而得到,规则贴片可以用快速而......
给出了一种单盒式透反射型液晶显示器,它采用顶板公共电极和底板的反射器形成互补.这些狭长的公共电极和反射器在透射区域(T区)产......
为了获得高保真的电容式RF MEMS开关自驱动失效阈值功率模型,必须弄清开关膜片上电场分布的边缘场效应.由于受到边缘场效应的影响,......
切角贴片在微带电路中得到了大量的应用.文中给出了分析切角贴片的CAD公式.该CAD公式根据切角贴片的工作机理,将边缘场看成延长效......
本文提出了一种快速分析局部不规则微带贴片的方法。局部不规则贴片可看成是在规则贴片上进行一些修正而得到，规则贴片可以用快速而......
给出了一种单盒式透反射型液晶显示器。它采用顶板公共电极和底板的反射器形成互补。这些狭长的公共电极和反射器在透射区域（T区）产......
描述了HM-16医用电子直线加速器的110°消色差磁偏系统.该系统由3块二极磁铁构成,其中的2块是极性相反的小偏转角磁铁,1块是11......
给出包括栅电介质与耗尽层区域的边界条件和二维沟道电势分布．根据这个电势分布，得出高k栅介质MOSFET的阈值电压模型，模型中考虑短沟......
基于单一类型载流子,讨论了电子倍增CCD（EMCCD）的雪崩倍增原理,并在此基础上使用经典分段电离率模型,结合雪崩倍增积分关系式建立了E......
为了获得高保真的电容式RF MEMS开关自驱动失效阈值功率模型,必须弄清开关膜片上电场分布的边缘场效应。由于受到边缘场效应的影响......
本文对四极磁透镜的磁场分布和电子的输运问题进行了研究和计算。文中阐述了四极磁透镜边缘场的三种处理方法,用这三种方法计算了......
针对固定间隙的上海深紫外自由电子激光(SDUV-FEL)混合型波荡器的端部,用Radia程序进行了模拟计算.在端部不加任何电磁线圈补偿的......
本文介绍了一种新型的电容传感器。它不同于以往的平行板式电容传感器，而是利用边缘场效应的原理，设计出的具有宽的静动态测量范围（ｍｍ级......
运用不同方法所确定的地球化学异常下限明显不同，所圈定的化探异常区范围也必不相同，这直接影响着勘探靶区优选的质量，决定着找矿工作......
提出了一种使用介电突起消除边缘场效应的硅基液晶显示器(Liquid Crystal on Silicon,LCoS)。在像素电极之间设计介电突起结构来阻......
