边缘场致发射体相关论文
对一种新型Ｔ形边缘场致发射体进行了静电分析，给出了一个三极管单元的数值计算结果，在静电场的计算中采用了一种新的数值方法－非正交有......
本文首次提出了新型环形火山口式边缘阴极发射体结构。采用国内现有的半导体工艺制备了这种结构的阴极发射体和二极管阵列。......
