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递变缓冲层相关论文
不同缓冲层作用下In0.82Ga0.18As外延层的位错及应力研究
由于三元半导体材料InxGa1-xAs可以很好地覆盖13μm波段的红外辐射,因此在红外探测器领域内得到了广泛的应用。此外,InxGa1-xAs材......
学位
In0.82Ga0.18As/InP
单缓冲层
递变缓冲层
超晶格缓冲层
位错密度
残余应力
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