GaN基HEMT器件具有的大电流、高功率及良好的频率特性，可覆盖2-40GHz频段内的无线通讯领域，尤其是在基站、远距离空间通讯等需要高功......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

给出非垂直入射时一维光子晶体的量子透射率,分别研究缺陷层、入射角度、介质层厚度以及介质层折射率对一维光子晶体透射特性的影......