金属-氧化物-硅结构相关硕士博士期刊学术论文

研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性.结果表明:MOS栅介质中引入一定的N后,能提高介质的电荷击穿强度,电荷击穿强度......