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钽硅氮相关论文
先进铜接触工艺的扩散阻挡层的研究
在32nm及以下技术节点,互连带来的延迟超过了门延迟,成为器件性能进一步提升的瓶颈。而接触层的W塞工艺在32 nm及以下技术节点带来......
学位
铜互连
铜接触
扩散阻挡层
钽硅氮
氮化钽
新型铜接触工艺和化学溶液对超低K介质的损伤研究
随着集成电路特征尺寸的不断减小至32nm甚至以下时,互连线延迟成为了提高集成电路整体性能的瓶颈。本论文针对降低先进互连的RC延......
学位
铜接触
扩散阻挡层
钽硅氮
氮化钽
低K介质
四点弯曲测试
粘附性
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