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Si1—xGex薄膜Ge表面偏聚的Monto Carlo模型
目前已经有许多学者研究了用UHV/CVD方法生长Si-1xGex薄膜时Ge在表面,次表面的偏聚,一种对这种实验结果的解释是由于化学原因(例如氧化......
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