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锰-镍相关论文
锰—镍金属氧化物半导体材料的温差电动势率
在170~450K 温度范围内测量了具有尖晶石结构的 NiMn<sub>2</sub>O<sub>4</sub>氧化物半导体材料的温差电动势率 S 和电导率σ与温......
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半导体材料
温差电动势率
锰-镍
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