利用阱结构作为发光层，阱由8－羟基喹啉铝和4，4′－N，N′－dicarbazole－biphenyl交替蒸发长成，改善了器件的效率，这归因于增加空穴和电子在薄发......

本文描述了适用于16.9mm(2/3英寸)规格的一种488×590元列间转移电荷耦合器件(CCD)传感器。这种传感器采用了三种 p 阱(浅层阱、中......

实验过程中研究了8-hydroxyq-uinoline aluminum(Alq3)和2-(4-biphenylyl)-5(4-tert-butyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)构成的......

实验过程中研究了8-hydroxyq-uinoline aluminum(Alq_3)和2-(4-biphenylyl)-5(4-tertbutyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)构成的......

实验过程中研究了8_hydroxyq--uinolinealuminum（Alq3）和2-（4-biphenylyl）一5（41ert__butyl一phenyl）一1,3，4-oxadiazole（PBD）构成的I型有机......

利用阱结构作为发光层，阱由8-羟基喹啉铝和4，4′-N，N′-dicarbazole-biphenyl变替蒸发长成，改善了器件的效率，这归因于增加空穴和电子在......

集成电路中电荷共享效应引起的多节点电荷收集在当前成为集成电路发生软错误的主要原因,然而在存储单元如SRAM中可以通过晶体管布......

实验过程中研究了8-hydroxyq—uinoline aluminum（A1q3）和2-（4-biphenylyl）-5（4-tertbutyl-phenyl）-1，3，4-oxadiazole（PBD）构成的I型有机阱结......

相比无机电致发光而言,有机电致发光具有材料选择范围宽、可实现由蓝光区到红光区的全彩色显示、驱动电压低、发光亮度和发光效率......

伴随着我国航天工业和航天活动的不断成长,抗辐照集成电路相关研究经历了从无到有,从弱到强的发展历程,空间辐射效应以及集成电路......

随着我国航天科技的飞速发展,空间应用抗辐射集成电路的研究已经成为学术界和工业界的关注重点。纳米工艺下,节点电容的降低和门延......