阵列激光器相关论文
GaInAsP/InP系列激光器由于其T0 小 ,且受环境温度影响大 ,所以用一般结构制作阵列器件是很困难的。而采用大光腔 (LOC)结构的激光......
用液相外延工艺，光刻工艺，质子轰击工艺研制了GaAs/GaAlAs锁相阵列激光器，该器件是由四个不同条宽激光器组成，它们的条宽是从3um线性地......
ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系列激光器由于其Ｔ０小，且受环境温度影响大，所以用一般结构制作阵列器件是很困难的。采用大光腔（ＬＯＣ）结构的激光器，其Ｔ０值可达１００￣１４０Ｋ，单个１．３μｍ激光器，脉冲......
利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱阵列激光器.其有源区采用分别限制单量子阱结构,激射波长......
半导体二极管阵列激光器是高效、小型、全固态源。本文论述高功率二极管阵列激光器的性能和关键技术,并给出了它最新的进展和未来......
随着信息爆炸和大数据时代的来临,社会对信息传输的要求日益升高。高速的信息传输,尤其是愈加灵活的智能化通信网络代表了光通信未......
