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对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比......
器件的浅槽隔离区域(STI)能够通过热失配在器件的沟道区引入压应力来提高PMOS的性能。使用了TCAD仿真工具在90nm，45nm、32nm技......
本文研究了栅长为1μm的蓝宝石衬底AlGaN/GaNHEMT的室温～-70℃低温直流特性.阈值电压随温度的降低而下降且低于-30℃下降明显;饱和......
研究了20℃～-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaN HEMT的直流特性.随温度降低,电子迁移率增大,而二维电子气密度基本不变,HEM......
