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第三代半导体材料GaN，InN，A1N及其合金材料都具有优异的物理化学特性，特别是对于直接带隙的三元合金AlxGa1-xN(0......
本研究基于各层金属间在快速热退火时容易合金化及Ti,Al易被氧化的特点,在高Al组分N-AlxGa1-xN(x≥0.45)材料上溅射生长多层金属Ti......
在AlGaNpin型日盲紫外探测器结构中的p—AlGaN层上生长了Ni／Au和Pd／Au，并在600—850℃温度下进行快速热退火，测量其退火前后传输线模型......
