利用数值模拟仿真,本文设计了基于薄外延的P埋层双RESURF LDMOS.与传统单RESURF LDMOS相比,改善了器件的表面电场分布,降低了导通......

随着CMOS工艺在数字和数模混合集成电路领域的日益成熟，CMOS高压集成电路(High-voltageintegratedcircuits；HVIC)也引起了人们的重视......

随着信息技术的发展,人类已经进入了消费电子时代。更加强调互联、社交、娱乐功能的移动终端产品层出不穷,其中用户体验也成为终端......

提出了一种新的双栅氧（dualgateoxide，DGO）工艺，有效提高了薄栅氧器件与厚栅氧器件的工艺兼容性，同时提高了高低压器件性能的稳定性．在中......

提出了一种新的双栅氧(dual gate oxide,DGO)工艺,有效提高了薄栅氧器件与厚栅氧器件的工艺兼容性,同时提高了高低压器件性能的稳......