高衰减精度相关论文
基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。......
介绍了基于WinCE 7.0的精密程控步进衰减器的设计,具体阐述了其整机和软件设计方案,并给出测试结果。该衰减器采用控制平台加内置......