结电容对InGaAs探测器I-V特性测试影响

来源 :2016年全国光机电技术及系统学术会议暨中国光学学会光电技术专委会/中国仪器仪表学会光机电分会会员代表大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sun54965436
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  I-V 特性是光伏探测器件重要的电学特性,是探测器最重要的表征手段之一.用电压扫描方式对光敏元尺寸为&Phi,5mm 单元InGaAs 探测器进行I-V 测试时,在负压方向电流出现了震荡现象.I-V 测试过程中,InGaAs 探测器可以等效为结电阻与结电容的并联.
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