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  5. PbTe/Pb1-zSrzTe多量子阱中红外发光二极管的研究

PbTe/Pb1-zSrzTe多量子阱中红外发光二极管的研究

来源 :第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fgvhfdvh
【摘 要】
：
为了提高IV-VI族中红外激光器的工作温度,本文采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe /Pb1-xSrxTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。
【作 者】
：
斯剑霄[1]吴惠桢[2]翁斌斌[2]何展[2]蔡春锋[2] 
【机 构】
：
浙江大学物理系固体光电子材料物理与器件实验室,浙江杭州 310027 浙江师范大学数理与信息工程学院,浙江金华 321004
【出 处】
：
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
：
2008年期
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为了提高IV-VI族中红外激光器的工作温度,本文采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe /Pb1-xSrxTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。高分辨X衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测量表明PbTe/Pb1-xSrxTe量子阱具有很好晶体质量和发光特性。制作的二极管I-V特性测量显示正向工作开启电压为0.35V左右。工作电流1.6mA。正向耐压特性表明二极管可承受注70mA的电流注入,表明二极管具有很好的正向开启电压和反向截止电压。
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