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简单介绍了现有的一些抛光技术,着重阐述了一种具有高度距离敏感性的抛光整平技术——约束刻蚀剂技术的原理.并利用该技术以光滑的微圆盘电极Pt作模板,对粗糙的GaAs表面进行抛光平整,获得了表面粗糙度为3.5nm的平整表面,显示了该技术作为一种平面抛光手段的潜力.
约束刻蚀剂层技术用于半导体GaAs抛光整平的研究
【摘 要】
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简单介绍了现有的一些抛光技术,着重阐述了一种具有高度距离敏感性的抛光整平技术——约束刻蚀剂技术的原理.并利用该技术以光滑的微圆盘电极Pt作模板,对粗糙的GaAs表面进行抛光平整,获得了表面粗糙度为3.5nm的平整表面,显示了该技术作为一种平面抛光手段的潜力.
【机 构】
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厦门大学固体表面物理化学重点实验室,化学系,物理化学研究所(厦门) 哈尔滨工业大学机器人研究所(哈
【出 处】
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第五届全国微米/纳米技术学术会议
【发表日期】
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2001年8期
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