【摘 要】
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晶体硅由于易提纯、易掺杂、耐高温等优点在半导体行业中应用非常广泛.但硅是间接禁带半导体材料,发光效率低.本文分别采用钛宝石飞秒和Nd:YAG纳秒激光脉冲对单晶硅在空气中
【机 构】
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西南科技大学-中国工程物理研究院激光聚变中心极端条件物质特性联合实验室, 四川 绵阳 621010
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
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晶体硅由于易提纯、易掺杂、耐高温等优点在半导体行业中应用非常广泛.但硅是间接禁带半导体材料,发光效率低.本文分别采用钛宝石飞秒和Nd:YAG纳秒激光脉冲对单晶硅在空气中进行辐照,研究了硅表面在不同能量密度和扫描速度下的光致荧光特性.对于飞秒激光辐照后的硅片,光致荧光谱测量表明(PL),在样品没有退火处理的情况下,激光扫描区域观察到橙色荧光峰(603nm)和红色的荧光带(680nm附近).
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