论文部分内容阅读
In(Ga)N/GaN量子盘的分子束外延生长
【机 构】
:
北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京 100871
【出 处】
:
第十一届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
:
2015年期
其他文献
采用分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了高迁移率的InSb薄膜,样品的厚度在0.9~1.1 μ m之间,通过优化薄膜生长的参数(包括生长温度,Ⅲ/Ⅴ),在没有插入任何缓冲
新一代HARRIS10kWFM发射机陈宏,钱勇新,沈浩江苏无锡电视台1HARRIS全固态发射机特点HARRIS公司的10kW全固态FM发射机(型号HarrisPlatiumZ1OCD),是按Z-轴、3-维电气设计思想设计的高性能、高可靠性、高效率和计...
New generation of HAR
InP基异质结双极晶体管(HBT)在毫米波功率和单片集成电路等领域具有重要的应用前景.由于InGaAs/InP单异质结HBT(SHBT)结构中集电区的InGaAs材料禁带宽度较窄,载流子的碰撞电
会议
The establishment of a 100-mm (4-in) gallium arsenide (GaAs) epitaxial facility is described together with the development of very high efficiency calibration p
会议
《后汉书·南匈奴传》载,永元二年(90年),“南部连克获纳降党众最盛,领户三万四千,口二十三万七千三百,胜兵五万一百七十”。其中“胜兵”的性质,林干先生认为“就是脱离生产,只担任作战
目前,以硅基光子学为基础的硅基光电集成技术已取得迅猛发展,但其关键问题——硅基光源材料与器件一依然没有得到有效解决.这是由于Si和Ge都是间接带隙材料,需要在声子的作用
会议
濮存昕,著名演员,北京人民艺术剧院副院长,曾主演话剧《古玩》、《阮玲玉》、《茶馆》,电影《洗澡》、《说好不分手》,电视剧《英雄无悔》、《来来往往》、《光荣之旅》。他
InAlN/GaN异质结在制作高迁移率晶体管(hemt)上有独特优势,当In组分为18%,时,InAlN与GaN晶格匹配,可以克服界面陷阱、电流崩塌效应等传统氮化物hemt器件遇到的问题;同时,依
会议
由于理论限制,三结电池的聚光效率已经达到极限。开发更多结的电池,使用更多能量逐渐增加的带隙组合吸收更宽的太阳光谱是实现更高的效率的重要途径。然而,由于带隙较高的材
理论和实验均已证明,热电材料的低维化是提高其热电性能的有效途径.Bi2Se3作为传统的热电材料和新型的拓扑绝缘体,是本篇论文的研究重点.在本次实验中,通过分子束外延(MBE)技
会议