【摘 要】
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用脉冲直流等离子体增强化学气相沉积(PCVD)方法,采用SiCl4/CH4/N2/H2/Ar混合气体在高速钢试样表面沉积出Si-C-N薄膜材料.结合XRD、XPS、HRTEM、SEM、Hv分析发现:在本实验条
【机 构】
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西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049
【出 处】
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第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛
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用脉冲直流等离子体增强化学气相沉积(PCVD)方法,采用SiCl4/CH4/N2/H2/Ar混合气体在高速钢试样表面沉积出Si-C-N薄膜材料.结合XRD、XPS、HRTEM、SEM、Hv分析发现:在本实验条件下制备的Si-C-N薄膜为纳米晶和非晶组成的复合相结构,其中,纳米晶具有类似于h-Si3N4的结构,并弥散分布在SiCN非晶基体上,晶粒尺寸在3-25 nm范围内,XPS显示薄膜中含有C-C、C=N、Si-N和C-N的共价键结构,但未发现有C-Si键存在;PCVD沉积的Si-C-N薄膜硬度在40～60 GPa之间。
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