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两台真空插入件IVU25B于2009年3月在上海光源(SSRF)首次研制成功。IVU25B有三个主要性能指标一磁场、真空和阻抗，它们都和真空系统有关。IVU25B真空系统包括真空室及真空室内除磁铁外的所有元部件。内大梁尺寸和位置的精度是保证磁场性能的一个关键。自行设计的简单而有效的RF屏蔽机构和覆盖在磁铁上的镀Ni铜箔是降低IVU阻抗的关键部件。在多孔永磁铁磁控溅射镀TiN膜，把气体封闭在磁铁中，避免它们直接在真空中放气。介绍了元部件的设计和工艺细节。讨论了IVU25B的真空状况以及对储存环的影响。