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CVD法铜上石墨烯单晶的可控生长

来源 :第13届全国发光学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：woaifulei

【作 者】

：

张燕辉 陈志蓥 王彬 张浩然 于广辉 

【机 构】

：

上海微系统与信息技术研究所,上海市 200050

【出 处】

：

第13届全国发光学学术会议

【发表日期】

：

2013年12期

【关键词】

：

CVD石墨烯单晶 成核密度 单晶形状 H2/CH4比生长温度 

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