Si,Ni和Cu衬底上沉积非晶金刚石薄膜的摩擦和磨损性能(摘要)

来源 :第四届全国微米/纳米技术学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangliye5
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本文报告了用真空磁过滤弧沉积技术(FAD)在Si,Ni和Cu衬底上沉积非晶金刚石薄膜(a-D)及其摩擦和磨损性能的研究结果.
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热力学和真空蒸发流计算相结合,模拟GaAs脱氧过程,预测脱氧要求的工艺条件和外加As源、Ga源的影响,并从机理上进行了解释。计算结果可作为设计GaAs脱氧工艺的依据。
采用ECR-PAMOCVD技术,在(001)GaAs衬底上,以TMG为镓源、以高纯氮气为氮源,低温生长出了纯立方GaN。利用透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)测量,研究了衬底预处理条件对C-GaN/(001)GaAs外延层质量的影响。结果表明,在390℃ ̄410℃用氢等离子体