【摘 要】
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采用离子束辅助沉积技术（IBAD）在金刚石等衬底上预沉积一层AlN 同质过渡层，然后利用脉冲反应磁控溅射在过渡层上沉积AlN薄膜。结果表明，该同质过渡层明显增强了AlN 薄膜的c
【机 构】
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湖南大学材料科学与工程学院，湖南长沙 410082，中国
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采用离子束辅助沉积技术（IBAD）在金刚石等衬底上预沉积一层AlN 同质过渡层，然后利用脉冲反应磁控溅射在过渡层上沉积AlN薄膜。结果表明，该同质过渡层明显增强了AlN 薄膜的c 轴取向度。在XRD 图谱上，（002）峰衍射强度增高，（100）、（101）等衍射峰消失。AlN 薄膜生长模式由于同质过渡层的引入发生变化，由三维岛状生长趋向于二维外延生长，从而呈现c 轴择优取向。
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