【摘 要】
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自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置,能够较好的调节反应气体的流动状态,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层.利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功的生
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置,能够较好的调节反应气体的流动状态,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层.利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功的生长出高质量的GaN晶体薄膜.在蓝宝石衬底上生长出n、P型GaN以及多量子阱多层结构材料,并成功制备了GaN基多层量子阱结构的蓝光发光二极管,性能良好,具有实用价值.
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