【摘 要】
：
对具有pn结复合缓冲层的AlGaN/GaN HEMT器件进行了仿真研究.首先,对pn结复合缓冲层减小泄漏电流的原理进行了说明.其次,对Lgd=6μm的AlGaN/GaN HEMT器件的特性进行了分析,包括输出特性、转移特性以及击穿特性.仿真结果显示,采用pn结复合缓冲层后,器件泄漏电流减小了近两个数量级,器件击穿电压从73 V上升到880V.最后,在保持pn结各单层厚度不变的情况下,对pn结各单层
【机 构】
：
电子科技大学 四川省成都市建设北路二段四号 610054
【出 处】
：
四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会
论文部分内容阅读
对具有pn结复合缓冲层的AlGaN/GaN HEMT器件进行了仿真研究.首先,对pn结复合缓冲层减小泄漏电流的原理进行了说明.其次,对Lgd=6μm的AlGaN/GaN HEMT器件的特性进行了分析,包括输出特性、转移特性以及击穿特性.仿真结果显示,采用pn结复合缓冲层后,器件泄漏电流减小了近两个数量级,器件击穿电压从73 V上升到880V.最后,在保持pn结各单层厚度不变的情况下,对pn结各单层的掺杂浓度范围进行了优化.仿真结果显示,n型单层掺杂浓度超过3×1017 cm-3时,器件击穿电压开始下降.
其他文献
本文利用仿真软件对6500V FS-IGBT的传统结构和T型栅结构进行了电特性仿真,通过对器件静态和动态特性的研究发现:T型栅结构随着薄氧化层L1的增大,器件的正向压降增大,器件的关断延迟时间降低,采用合适的L1值,得到了优化的T型栅结构.
本文设计了一种具有ESD自保护能力的硅N沟道高跨导JFET.JFET采用外延扩散工艺,ESD保护器件采用SCR结构,并且将ESD保护器件和JFET集成到同一块硅片上,实现了JFET电学参数、ESD保护能力、器件版图面积的良好折衷.仿真结果表明所设计的JFET具有2000V的抗HBM模型ESD能力.
对缓冲层中极化掺杂的GaN基异质结器件(HFET)的击穿特性做了仿真研究.首先针对Al组分渐变的AlxGa1-xN缓冲层分析计算了其中三维空穴气(3DHG)的浓度分布,并分析研究了AlGaN层中Al组分的变化率对3DHG浓度的影响.仿真结果表明,其浓度随Al组分变化率的增加而增加.其次,基于AlGaN/GaN HFET器件,研究了极化掺杂对器件直流特性和击穿特性的影响.结果表明,随着3DHG浓度的
本文主要研究NMOSFET的性能提高,以SiGe作为纳米nMOS的源,能够有效降低器件的源漏电阻Rsd,进而提升器件性能.本文设计了以SiGe作为源的纳米尺寸nMOSFET,并用TCAD器件仿真软件对其进行仿真,结果表明,SiGe源nMOS的跨导相比于普通Si nMOS的源漏电阻降低了9％,输出特性曲线ID-VD提高了7％,如果以刻蚀阻挡层作为应力源,向沟道中引入应力,器件的性能进一步得到提高.
本文提出了一种新型低开启电压快恢复二极管.理论分析了这种二极管的原理,建立了该器件的正向压降的解析式.对此二极管进行模拟仿真分析,表明:在相同耐压下, 本文所提出的二极管的正向压降比常规PN结二板管低,反向恢复比常规PN结二极管快,反向峰值电流比常规PN结二极管小.
阻变存储器具有存储单元结构简单、擦写速度快、功耗低、有利于大规模集成等优点,受到广泛关注.本文论述了RRAM的基本结构和工作原理,对RRAM阻态转换过程中的SET限制电流对低态电阻的影响进行研究,并提出了一种实现多位存储的方法.对比了SET过程的最大电流与RESET过程的最大电流的关系以及RESET过程最大电流对高态电阻和器件性能的影响,RESET电流在5mA至20mA的范围内随SET过程的限制电
复数滤波器是低中频结构ZigBee接收机重要的一个组成部分,起到抑制镜像频率的作用.采用0.18 μm RF CMOS工艺设计了一款6阶巴特沃斯跨导电容复数滤波器,论文给出了复数滤波器的结构实现与跨导单元电路,跨导单元由输入MOS管工作于线性区的伪差分跨导放大器与共模反馈放大器组成,该滤波器工作电压为1.8V,中心频率设计为2MHz,带宽设计为2MHz,对-2MHz处镜像信号抑制达到60dB,并且
作为实现多模移动通信标准的最重要的解决方案之一,软件定义无线电(SDR)近年来已成为研究的热门课题.根据软件无线电方案提出将2MHz-2000MHz的空中信号全部收集下来进行抽样、量化,转化成数字信号用软件处理,本文采用40-nm的CMOS工艺设计了一个频带覆盖100MHz-2GHz,用于SDR接收机射频前端.其中低噪声放大器(LNA)有两种工作模式,在增益小于2.6dB的情况下,分别可以得到12
本文介绍了利用厚度为1mm的Taconic CER-10(tm)介质板,设计一种C波段基片集成波导宽边小孔耦合的耦合器的方法.通过高频仿真软件HFSS对设计模型进行了仿真优化,得到一个中心频率在6.5GHz,耦合度为10dB,驻波比小于1.2的定向耦合器.
设计了一种基于0.25μm BCD工艺、适用于宽输入范围的高压Buck DC-DC转换器LED恒流驱动芯片的过流保护电路.该电路使用了耐压60V的高压DMOS器件(HVNMOS、HVPMOS)、5V的低压CMOS器件(LVNMOS、LVPMOS)、5V的高压NPN管以及5V稳压管二极管.分析了此电路的结构和原理,给出了一些设计关键.基于电压比较器设计结构使得此过流保护电路能避免功率管开启瞬间尖峰电