【摘 要】
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本文采用直流磁过滤弧源沉积的方法在室温下合成了不同N分压下的C:N薄膜,基体采用Si(100)镜面抛光的硅片.膜厚经测定约510nm.薄膜成分表征采用拉曼光谱,X—Ray光电子能谱和傅
【机 构】
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西南交通大学材料科学与工程学院教育部材料先进制备技术重点实验室
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本文采用直流磁过滤弧源沉积的方法在室温下合成了不同N分压下的C:N薄膜,基体采用Si(100)镜面抛光的硅片.膜厚经测定约510nm.薄膜成分表征采用拉曼光谱,X—Ray光电子能谱和傅立叶红外光谱.结果表明随着N<,2>流量的增加,薄膜中有更多的sp<2>簇形成,但sp<3>/sp<2>没有多大改变,薄膜中N含量为1.8﹪~6.1﹪,不同流量下薄膜的红外光谱结果未见明显差异.接触角测试仪测定了薄膜与不同液体间的接触角,通过计算得到的不同薄膜材料的表面能参数没有明显区别,这表明在现有工艺条件下合成的薄膜对表面能不敏感.
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