【摘 要】
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本文主要采用超声喷雾技术制备了p型ZnO薄膜,关注了薄膜特性与衬底之间的关系.Hall测试结果显示不同衬底上ZnO薄膜的电学特性有较大差别:相对于普通玻璃衬底,Si衬底上制备薄膜的迁移率和电导率有较大的改善.另外,同n-Si衬底衬底相比,p-Si衬底上ZnO薄膜的导电类型较稳定,文中结合XRD、SEM等分析手段对其原因进行了分析.
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术关津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学)天津,300071;河北
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本文主要采用超声喷雾技术制备了p型ZnO薄膜,关注了薄膜特性与衬底之间的关系.Hall测试结果显示不同衬底上ZnO薄膜的电学特性有较大差别:相对于普通玻璃衬底,Si衬底上制备薄膜的迁移率和电导率有较大的改善.另外,同n-Si衬底衬底相比,p-Si衬底上ZnO薄膜的导电类型较稳定,文中结合XRD、SEM等分析手段对其原因进行了分析.
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