【摘 要】
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本文利用等离子辅助分子束外延(P-MBE)技术，以高纯金属Mg和Zn为Mg和Zn源，O2或NO为氧源和氮源，在蓝宝石衬底上制备出MgZnO和N掺杂MgZnO薄膜。利用XPS测量发现：当Mg与Zn0合金化成MgZnO后，同Zn0电子结构相比，其价带顶小幅下移，而导带底大幅上移；通过对MgZnO导电特性随Mg含量的增加从n型转变为P型实验现象的理论分析和计算，发现随着Mg含量增加，本征施主离化能大幅增
【机 构】
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吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林大学物理学院,吉林长春,130012
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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本文利用等离子辅助分子束外延(P-MBE)技术，以高纯金属Mg和Zn为Mg和Zn源，O2或NO为氧源和氮源，在蓝宝石衬底上制备出MgZnO和N掺杂MgZnO薄膜。利用XPS测量发现：当Mg与Zn0合金化成MgZnO后，同Zn0电子结构相比，其价带顶小幅下移，而导带底大幅上移；通过对MgZnO导电特性随Mg含量的增加从n型转变为P型实验现象的理论分析和计算，发现随着Mg含量增加，本征施主离化能大幅增加；Zn空位形成能降低，Zn空位受主浓度增加。说明Mg增加将减少本征施主补偿效应。利用P-MBE技术，通过调整Mg含量及N和O的比例，制备出稳定性较好的N掺杂P型MgZnO。
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